| Dian Iliev: ТЕСТ 1б |  | Моето учебно заведение |  |  | Моите задания |  | Изход |

|  |  |  | Страница: |  |  |  | Страница 1 of 1 |  |  |

ТЕСТ 1: Линейни модели на биполярни транзистори. Макромодели на идеален операционен усилвател. Компонентни и топологични матрици. Методология за проектиране на електронни схеми с PSpice.

1. | Практическото приложение на моделите на електронните елементи е свързано с познаването на отделните съставки на понятието модел, а именно: - еквивалентна схема, която включва вида на използваните двуполюсници и начина на тяхното свързване; - математическото описание, което се състои от уравнения, отразяващи количествените зависимости между електрическите характеристики и параметри на модела;
- съвкупност от параметри, познаването на числените стойности на които позволява да се представят свойствата на моделния елемент - тези съвкупности образуват базата данни за моделите на електронните елементи;
- методологията и приложните програми за моделиране на електронните елементи по данни от измервания.
Вярно ли е това твърдение ?
1/1
|  | a. | Да |
|  | b. | Не |

2. | Посочете кой от подходите за малосигнално моделиране е подходящ в зависимост от сферата на приложение на получения модел: | 0/2
| a. | В случаите, когато се търси връзка между постояннотоковия режим и променливотоковия анализ на електронната схема. | Определяне на модела от линейните четириполюсни параметри и честотните характеристики на транзистора. Correct answer: Линеаризиране на нелинейния модел на транзистора и получаване на съответната еквивалентна схема и математическо описание. |
| b. | За инженерни пресмятания без обемисти и сложни изчисления и по-ниска точност на получените резултати. | Линеаризиране на нелинейния модел на транзистора и получаване на съответната еквивалентна схема и математическо описание. Correct answer: Определяне на модела от линейните четириполюсни параметри и честотните характеристики на транзистора. |

3. | Физическите модели в една или друга степен отразяват физическите явления и процеси в структурата на електронните елементи, доближават се до вътрешната им същност. Вярно ли е това твърдение ? | 1/1
|  | a. | Не |
|  | b. | Да |

4. | Линейните модели представят свойствата на електронните компоненти и схеми в режим на малък сигнал т.е. при въздействие на хармоничен сигнал с малка амплитуда, когато с достатъчна точност се ленеаризират зависимостите между променливите токове и напрежения в тях около постояннотоковата работна точка.
Вярно ли е това твърдение ?
1/1
|  | a. | Не |
|  | b. | Да |

5. | Свържете верните отговори. | 2/2
| a. | Нискочестотните модели представят електронния елемент или схема при | сигнал с малка амплитуда и обхват на честотата, за който реактивностите в схемата може да се пренебрегнат |
| b. | Високочестотните модели представят електронния елемент или схема при | хармоничен сигнал с малка амплитуда и отчитане на въздействието на честотата |

6. | Посочете класификационната група към която се отнасят изброените модели на електронни елемени: | 2/7
| a. | Четириполюсник. | Физически модели. Correct answer: Формални модели. |
| b. | Mногополюсник. | Физически модели. Correct answer: Формални модели. |
| c. | П- и Т- образни модели на биполярни транзистори | Формални модели. |
| d. | Зарядоуправляем модел на Гумел-Пун на биполярен транзистор. | Формални модели. Correct answer: Физически модели. |
| e. | Инжекционен модел на Ебрс-Мол на биполярен транзистор. | Физически модели. |
| f. | Високочестотен модел на Джаколето на биполярен транзистор. | Формални модели. Correct answer: Физически модели. |
| g. | Макромодел на операционен усилвател. | Физически модели. Correct answer: Формални модели. |

7. | Зависимият източник тип Е има две компоненти: | 1/1
|  | a. | Клон със зависим източник на ток и клон на управляващото напрежение на друго място в схемата |
|  | b. | Клон със зависим източник на ток и клон с управляващ ток |
|  | c. | Клон със зависим източник на напрежение и клон на управляващото напрежение |
|  | d. | Клон със зависим източник на напрежение и клон с управляващ ток на друго място в схемата |

8. | Каква е размерността на параметъра на съответния зависим източник? | 4/4
| a. | FN 1 2 VN 10.0 | - |
| b. | GА 6 0 (11, 12) 188.5E-6 | S |
| c. | HLIM 90 0 VLIM 1k | Ом |
| d. | EBUFF 1 2 (10, 11) 1 | - |

9. | Свържете верните отговори за описания в Netlist елемент GА 6 0 (11, 12) 188.5E-6: | 1/5
| a. | GА 6 0 (11, 12) 188.5E-6 | Управление:<(+) управляващ възел, (-)управляващ възел > Correct answer: Източник на ток управляван от напрежение |
| b. | А | <име> |
| c. | 6 0 | <параметър> Correct answer: Включване <(+) възел> <(-) възел> |
| d. | 11, 12 | Включване <(+) възел> <(-) възел> Correct answer: Управление:<(+) управляващ възел, (-)управляващ възел > |
| e. | 188.5E-6 | Източник на ток управляван от напрежение Correct answer: <параметър> |

10. | Хорди на свързан граф (на схема) се наричат клоните на графа, който участват във формирането на дървото. Вярно ли е това твърдение ? | 1/1
|  | a. | Да |
|  | b. | Не |

11. | Броят на клоните на дървото е равен на: | 0/2
|  | a. | никое от посочените по-долу твърдения. |
|  | b. | всички посочени по-долу твърдения. |
|  | c. | броя на независимите уравнения по първи закон на Кирхоф. |
|  | d. | броя на независимите сечения. |
|  | e. | броя на независимите напрежения. |

12. | Свържете верните трърдения: | 2/2
| a. | Затворена повърхност, която пресича само един клон на дървото и произволен брои хорди | се нарича сечение. |
| b. | Затворена съвкупност от клони, която обхваща една хорда и произволен брой клони на дървото | се нарича контур. |

13. | Посочете вида на компонентната матрица на проводимостите в зависимост от схемните елементи: | 2/2
| a. | елементи R, L и C | квадратна диагонална мартица |
| b. | елементи ЗИНУТ, R, L и C | квадратна несиметрична матрица |

14. | Общата методологията за проектиране е изградена като същностно итеративен процес. Отделните итерации: планиране, моделиране и създаване на прототип, оценка и следващо усъвършенстване на изделието са необходими за прецизиране и разширяване на ключовите проектни дейности. На практика те действително представляват итерации, а не отделни фази в разработката на проекта, при които всяка дейност се изпълнява на различно ниво на детайлизация. Свържете верните отговори: | 1/4
| a. | Планиране | Изисква разширен анализ и избор на архитектура и малко усилия за реализация и усъвършенстване |
| b. | Моделиране и създаване на прототип | Изисква голямо натовараване за реализация и усъвършенстване и малко за анализ и синтез Correct answer: Изисква средно натоварване за анализ и синтез и по-малко за реализация и усъвършенстване |
| c. | Оценка | Изисква средно натоварване за анализ и синтез и по-малко за реализация и усъвършенстване Correct answer: Изисква средно натоварване за реализация и усъвършенстване и по-малко за анализ и синтез |
| d. | Усъвършенстване на изделието | Изисква средно натоварване за реализация и усъвършенстване и по-малко за анализ и синтез Correct answer: Изисква голямо натовараване за реализация и усъвършенстване и малко за анализ и синтез |

15. | Въз основа на функционалния модел на проектирането на електронни схеми, определете кои са междинните продукти при проектирането, т. е. какъв е резултатът на всяка стъпка от проектирането. | 8/11
| a. | Анализ на техническите изисквания. | Графични характеристики. Correct answer: Спецификация |
| b. | Създаване на схемата. | Принципна електронна схема. |
| c. | Симулация. | <Unanswered> Correct answer: Модел на електронната схема. |
| d. | Оценка на резултатите. | Спецификация Correct answer: Графични характеристики. |
| e. | Оптимизация. | Подобрен модел на електронната схема. |
| f. | Проектиране на печатна платка. | Печатна платка. |
| g. | Създаване на прототип. | Прототип на електронната схема. |
| h. | Тестване. | Измерени параметри. |
| i. | Модифициране. | Подобрен прототип. |
| j. | Документация. | Техническа документация. |
| k. | Производство. | Електронни продукти. |

16. | Свържете етапите за проектиране на електронни схеми със съответните програмни продукти в MicroSim Design Lаb: | 5/5
| a. | Проектиране на печатна платка | PCBoards |
| b. | Компютърни симулации | PSpice A/D |
| c. | Визуализация на резултатите | Probe |
| d. | Създаване, редактиране и съхраняване на електронни схеми | Schematics |
| e. | Оптимизация на схеми | PSpice Optimizer |

17. | Посочете групата, към която се отнася всеки един от изброените анализи: | 7/7
| a. | Времеви анализ | Стандартни анализи |
| b. | Температурен анализ | Многократни анализи |
| c. | Анализ по метода на Монте Карло | Статистически анализи |
| d. | Постояннотоков анализ | Стандартни анализи |
| e. | Анализи на чувствителност / най-тежък случай | Статистически анализи |
| f. | Параметричен анализ | Многократни анализи |
| g. | Променливотоков анализ | Стандартни анализи |

18. | Четириполюсните h-параметри се дефинира като: | 2/4
| a. | Коефициент на обратна връзка по напрежение при отворен вход. | h12 |
| b. | Изходна проводимост при отворен вход. | h11 Correct answer: h22 |
| c. | Входно съпротивление при накъсо свързан изход. | h22 Correct answer: h11 |
| d. | Коефициент на усилване по ток при накъсо свързан изход. | h21 |

19. | Свържете описанието на елементите от модела на Джаколето със съответното означение: | 0/8
| a. | Параметър на ЗИТУН. Стръмност на предавателната характерестика IC= f(UBE) | <Unanswered> Correct answer: gm |
| b. | Обратно проходно съпротивление | <Unanswered> Correct answer: rb'c |
| c. | Преобладаваща част на входното променливотоково съпротивление в схема с общ емитер | <Unanswered> Correct answer: rb'e |
| d. | Изходно променливотоково съпротивление в схема с общ емитер | <Unanswered> Correct answer: rce |
| e. | Обемно базово съпротивление | <Unanswered> Correct answer: rb'b |
| f. | Паразитен монтажен капацитет между изводите на базата и колектора | <Unanswered> Correct answer: Cbc |
| g. | Бариерен капацитет на прехода колектор-база | <Unanswered> Correct answer: Cb'c |
| h. | Дифузен капацитет на прехода емитер-база | <Unanswered> Correct answer: Cb'e |

20. | Параметрите на елементите от П-образният модел на биполярен транзистор : - зависят от постояннотоковия режим; - независят от честотата; Вярно ли е това твърдение ? | 0/1
|  | a. | Да |
|  | b. | Не |

21. | В Pspice моделът на Джаколето на биполярен транзистор се получава от универсалния модел след подходящо модифициране на еквивалентната му схема и диференциране на нелинейните зависимости между токовете и напреженията в установения постояннотоков режим.
Вярно ли е това твърдение?
0/1
|  | a. | Да |
|  | b. | Не |

| Previous and SaveNext and Save |